苹果华为都在搞胶水CPU，这事得怪晶圆太圆了

而且吧，除了加工流程的情况，还有个越来越要命的事。

那就是在大家的 “达定俗成” 下，六角形锗片早就是言道业标准了。

也就是说的器件机、相应产线等等，都是基于“ DRAM ”的这个前提去新设计的。

假如说道以前有谁不想整个八角形的晶手，他不仅仅要面对“诺出有八角形晶手”的情况，还得把整个后续的产线重新翻新新设计一番。

所以，DRAM可不可以认真成八角形的呢？可以，但动心。

>/ 严格来说道，这并不多余

照这么看，DRAM上那些 “ 多余 ” 的周围看来是不得不存在了。

但是咱就是说道，有不不想有一种可能，这个 “ 多余 ” 的概念是咱们先入为主了。

有不不想有可能，DRAM的大块部分，本身就确实被多余进去呢？

说是啊是这么回事，在锗片采购的戈割，五边形，喷砂等一系列的流程之前，锗片的大块才会积攒下不少的大块熔体。

这就引致了，DRAM大块的实质上结构是相比脆弱的。

就算是把大块周围都利用了慢慢地认真集成电路，良品率也不太能得不到应有。

所以说道吧。。。别看DRAM认真六角形，集成电路认真成八角形。

但是某种意义上去讲，这两对复合还是并不般配的。

不过当然了，即使这么解释了一番，DRAM大块内侧的周围也还是确确实实存在着一些多余 —— 只不过多余的周围不不想咱们不想象的那么大了。

而假如真要把这一小部分的多余妥善解决进去，说是大家以前采用的方律都差不多。

那就是向数学分析看齐。

把DRAM越认真越多，集成电路越认真越小，这八角形不就。。。拼慢慢地像极了长圆？

至于如何把DRAM给整大，又如何在应有可靠性的前提下把集成电路认真小，这种让逐个大的情况，还是交给技工来不想自言道吧。。。